目前烈力軸承的碳化硅全陶瓷軸承有以下種類：1，微型碳化硅全陶瓷軸承微型碳化硅全陶瓷軸承的小內徑尺寸2mm，還包括英制微型碳化硅全陶瓷軸承。例如，SiC可用作各類、、、密封件、切削工具、燃汽渦輪機葉片、渦輪增壓器轉子、反射屏和火箭燃燒室內襯等等。碳化硅陶瓷 3、熱分解法： 使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有機硅聚合物在1200～1500℃的溫度范圍內發生分解反應，由此制得亞微米級的 -SiC粉末。因此，已經在石油、化工、、航天、核能等領域大顯身手，日益受到人們的重視。其中，雜質少的呈綠色，雜質多的呈黑色。詳細尺寸：3，碳化硅全陶瓷平面推力球軸承碳化硅全陶瓷平面推力球軸承，內徑尺寸2mm - 120mm，帶精磨溝道。

應用領域:在極惡劣的環境及特殊場所，例如：超高溫環境(建議用溝球型)， 其幾可承受到1300℃。在電性能方面，SiC具有半導體性，少量雜質的引入會表現出良好的導電性。碳化硅陶瓷4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成;對于6H-SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩定的。 SiC陶瓷的優異性能與其獨特結構密切相關。SiC是共價鍵很強的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性僅12%左右。在空氣中加熱時易發生氧化，但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散，故氧化速率并不高。

 4、氣相反相法： 使SiCl4和SiH4等含硅的氣體以及CH4、C3H8、C7H8和(Cl4等含碳的氣體或使CH3SiCl3、(CH3)2 SiCl2和Si(CH3)4等同時含有硅和碳的氣體在高溫下發生反應，由此制備納米級的 -SiC超細粉。5，碳化硅滿球全陶瓷軸承碳化硅滿球陶瓷軸承，不帶保持器。詳細尺寸：2，碳化硅全陶瓷深溝球軸承碳化硅全陶瓷深溝球軸承內徑尺寸10mm - 140mm，也包括英制尺寸碳化硅全陶瓷深溝球軸承。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩定關系變化。因此，SiC強度高、彈性模量大，具有優良的耐磨損性能。碳化硅陶瓷在溫度低于1600℃時，SiC以 -SiC形式存在。

碳化硅陶瓷工藝流程解析 - 新聞 - 九正建材網(中國建材網)#碳化硅，具有抗氧化性強，耐磨性能好，硬度高，熱穩定性好，高溫強度大，熱膨脹系數小，熱導率大以及抗熱震和耐化學腐蝕等優良特性。目前，合成SiC粉末的主要方法有： 1、Acheson法： 這是工業上采用多的合成方法，即用電將石英砂和焦炭的混合物加熱2500℃左右高溫反應制得。 2、化合法： 在一定的溫度下，使高純的硅與碳黑直接發生反應。當高于1600℃時， -SiC緩慢轉變成 -SiC的各種多型體。碳化硅陶瓷此外，SiC還有優良的導熱性。 碳化硅陶瓷工藝流程解析 現SiC陶瓷的生產工藝簡述如下： 一、SiC粉末的合成： SiC在地球上幾乎不存在，僅在隕石中有所發現，因此，工業上應用的SiC粉末都為人工合成。

又如在高腐蝕化學藥劑中(建議使用PTFE保持架)有較久的使用壽命，因其之硬度高達HRC90度。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等雜質，在制成的SiC中都固溶有少量雜質。碳化硅陶瓷在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩定性關系。產品型號包括511系列的各種平面推力軸承。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。由此可合成高純度的 -SiC粉末。