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磨削碳化硅生產技術

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為您的企業參與市場產品開發提供手寶貴資料。 反應燒結碳化硅對原料要求相對較低, 顆粒級配的碳化硅粒徑在 1-20 微米范圍內,無需特殊處理,C 粉、粘結劑等都是市場成熟供應的原料。等靜壓制有以下優點:能壓制具有凹形空心、細長件以及其他復雜形狀的零件摩擦損耗小成型壓力低壓力從各個方面傳遞壓坯密度分布均勻, 壓坯強度高模具制作方便壽命長成本較低,但等靜壓制也有缺點:壓坯尺寸和形狀不易精確控制生產率較低且投資大操作較復雜成型在高壓下操作容器及其它高壓部件需要特別防護。磨削碳化硅生產技術(4)熱等靜壓燒結(HIP) 若制品形狀復雜,又希望得到高密度,可用熱等靜壓工藝。 固相燒結是美國科學家 Prochazka 于 1974 年首先發明的。其特點是無需外加壓力使碳化硅實現致密化致密化有兩中途徑:固相燒結和液相燒結,因此對制品的形狀沒有限制,可以與各種成型方法配合,是為經濟實用的的制備碳化硅的方法。

本方案通過以下制備工藝,制備出滿足以上要求的碳化硅陶瓷密封環。漿料粘度測定使用 NDJ- 1 型旋轉式粘度計 以確定合適的漿料固含量及有機添加劑的用量。(版)碳化硅生產技術工藝匯編 - 易趣品質網購#本套系列技術全文,全部在2張優質光盤內(發給您的光盤內容包括截止到今年為止的技術全文),全國各大城市均可貨到付款。磨削碳化硅生產技術H 和 R 代表六方和斜方六面型。(3)熱壓燒結 SiC 陶瓷 為獲得更致密、強度更高的制品,可采用熱壓工藝。熱壓燒結時間短、燒結溫度相對較低;燒結助劑量少,可制得高密度產品;生產效率低,只能生產形狀簡單的制品。

所有技術資料均為電子圖書(PDF格式,沒有錄像及視頻),承載物是光盤,可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱(網傳免收郵費)。磨削碳化硅生產技術1.3 本方案的目的及意義 碳化硅陶瓷的耐化學腐蝕性好、強度高、硬度高,耐 磨 性 能 好 、 摩 擦 系 數 小 , 且 高溫力學性能強度、抗蠕變性等是已知陶瓷材料中的。 3 β-SiC 只有一種,屬立方晶系,密度為 3.215g/cm 。本方案采用這種方法,此法是在爐內通入一定惰性氣體,使制品在特定的氣氛下燒結(根據不同材料可選用氧、氫、氮、氬或真空等不同氣氛) ,為防止 SiC高溫下氧化,我們選擇氬氣作為保護氣,在一定溫度范圍℃內,1atm101325Pa下完成燒結。無壓燒結 SIC的力學性能隨添加劑、燒結溫度、顯微結構的不同而有差異。耐高溫性能比較來看,當溫度低于 900℃時,幾乎所有 SiC 陶瓷強度均有所提高;當溫度超過 1400℃時,反應燒結 SiC 陶瓷抗彎強度急劇下降。

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總之,SiC 陶瓷的性能因燒結方法不同而不同。磨削碳化硅生產技術二、工藝概述2.1 SiC 原料的制備2.1.1 原料選擇 98的亞微米α-SiC 粉,其平均粒徑為 0.6um SiC 粉:385.6g酚醛樹脂:24.03 g,HT 樹脂:38.57 g 用 20ml 水溶解,油酸:4ml ,B4C:4.04g,聚胺脂球磨介:800.96g,乙醇:140ml,Darayn-c 1ml蒸餾水 240mlPHgt1020 ml。 (這是由于燒結體中含有一定量的游離 Si,當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致)對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的 SiC 陶瓷, 其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。由于 SiC 表面常有一薄層 SiO2,在 1700℃左右,SiO2 融融分布在晶界處,使 SiC 顆粒之間接觸機會減少,抑制了燒結。本套資料為電子文檔資料,查看、復制、打印、保存方便,保密性好,我們向您提供更全面的科技資訊服務!如果找不到您需要的,我們將按照您的需要為您定制。像其它共價結合化合物,沒有專門添加劑的 SiC 是不能燒結的,這種行為源于相對弱的體積擴散由于強的單向鍵合以及氣相遷移機理(蒸發-在凝聚) 。

 無壓燒結實現實現碳化硅的致密化關鍵在原料顆粒應在亞微米級, 同時選擇適當的燒結助劑。碳化硅的無壓燒結可分成固相燒結和液相燒結兩種。2.2 碳化硅陶瓷的成型2.2.1 鋼模壓制成型(干壓法) 稱取上一步噴霧造粒好的 SiC 粉體 40g,并將其放入預先潤滑過的瓷環金屬模內敲勻落實后,放在壓機上受壓所加壓力為16t使之密實成型取出脫模。我們會盡全力為您提供準確、全面的信息!。在我國,清華大學新型陶瓷與精細工藝國家實驗室在這方面的研究成果已位居世界前列。磨削碳化硅生產技術 而日本的鈴木弘茂認為,SIC 難以燒結是由于 SiC 的表面擴散在低溫下很快,導致粒子粗大化,不利于燒結,研究發現的 C和 B 的左右機理與 Prochazka 的大不相同,他認為,①B 和 C 共同對粒子成長起了有效的抑制作用;②各自單獨使用時,不能導致充分的致密化,即僅抑制表面擴散是不夠的,要通過兩者的相互作用并使晶界生成相(B-C 化合物)才能致密化,這是因為 B 和 C 生成 B4C直接添加 B4C可以固溶在 SIC 中, 從而降低晶界能,促進燒結。

磨削碳化硅生產技術SIC 主要燒結方法及特點如下表 3-3-1、 不同燒結方法制得的 SIC制品的性質比較表 3-3-2. 碳化硅主要燒結方法及特點表 3-3-1燒結方法 燒結原理 條件 特點反應燒結(自 SICC 胚體在 燒結溫度低;結合) 高溫下進行蒸 收縮率為零; 汽或液相滲 1400—1600℃ 多孔質,強度 SI,部分硅與 低;殘留游離 碳反應生成 硅 多 SIC 把 原 來 胚 ( 8-15 ), 體中的 SIC 結 影響性能 合起來,達到 燒結的目的。這種設備其氣體壓力可達 300MPa,加熱溫度可達 2000℃。 反應燒結法制備溫度低, 工藝過程和設備要求相對較低在燒結過程中體積收縮一般在 3以內,可以對制品尺寸進行比較精確控制,實現“近尺寸”燒結,適于制備相對復雜的產品。但反應燒結碳化硅往往含有 8-20的游離硅,使用溫度不宜過高。 干燥過程中主要控制的工藝參數有漿料的固含量、 粘結劑的含量、 進出口溫度、 壓力及進料速率等。這種工藝是通過作為爐子外壁的高壓容器, 內用惰性氣體對樣品進行各向同性的均勻加壓。

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