但三氯化硼和三氯化磷的沸點與三氯氫硅相近較難分離故需采用高效精餾以除去這兩種雜質。這樣所得的硅烷比較純，但在實際生產中尚有未反應的鎂存在，所以會發生如下的副反應： Mg+ 2NH4Cl=MgCl2+2NH3+H2 所以生成的硅烷氣體中往往混有氫氣。但硅烷中還有氨、氫及微量磷化氫（PH3）、硫化氫（H2S）、砷化氫（AsH3）、銻化氫（SbH3）、甲烷（CH4）、水等雜質。硅化鎂粉碎方法本發明的特征是：用水鎂石代替合成法得到的氫氧化鎂，在價格上表現出突出的競爭優勢，前者成本只是后者的20％左右。但硅烷中還有氨、氫及微量磷化氫PH3、硫化氫H2S、砷化氫AsH3、銻化氫SbH3、甲烷CH4、水等雜質。在硅烷合成過程中已有效地去除金屬雜質。

 工業上是用硅石SiO2和焦炭以一定比例混合在電爐中加熱℃而制得純度為9599的粗硅其反應如下SiO22CSi2CO 粗硅中一般含有鐵、鋁、碳、硼、磷、銅等雜質這些雜質多以硅化構成硅酸鹽的形式存在為了進一步提高工業粗硅的純度可采用酸浸洗法使雜質大部分溶解有少數的碳化硅不溶。 高純多晶硅的制備方法很多，據布完全統計有十幾種，但所有的方法都是從工業硅（或稱硅鐵，因為含鐵較多）開始，首先制取既易提純又易分解（即還原）的含硅的中間化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使這些中間化合物提純、分解或還原成高純度的多晶硅，其工藝流程大致如圖1： 目前我國制備高純硅多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法。用此法生產的粗硅經酸處理后，其純度可達到99.9%。硅化鎂粉碎方法 Mg2Si4NH4ClSiH4↑2MgCl24NH3↑ 其中液氨不僅是介質而且它還提供一個低溫的環境。 本公司經營技術、資料、配方、工藝，質量保證，歡迎咨詢洽談。 （3） 硅烷的熱分解 將硅烷氣體導入硅烷分解爐，在800~900℃的發熱硅芯上，硅烷分解并沉積出高純多晶硅，其反應式如下：SiH4=Si+ 2H2 硅烷熱分解法有如下優點： ① 分解過程不加還原劑，因而不存在還原劑的玷污。

 在生產中，一般將氯化溫度控制在450~500℃，這樣一方面可提高生產率，另一方面可保證質量，因為溫度低時不僅反應速度慢，而且有副產品Si2Cl6、Si3Cl8等生成，影響產品純度，但若溫度過高，硅鐵中其它難揮發雜質氯化物也會隨SiCl4一起揮發出來，影響SiCl4純度。訂購電話： 咨詢電話：，,手機：在線咨詢QQ：,訂購請記錄好此資料編號：CY本套共收費：230元請與QQ：8 5 3 1 36199,7 聯系辦理。其中絕大多數氯化物的沸點與三氯氫硅相差較大因此通過精餾的方法可以將這些雜質除去。硅化鎂粉碎方法工業上常用不銹鋼（或石英）制的氯化爐，將硅鐵裝入氯化爐，從氯化爐底部通入氯氣，加熱200~300℃時，開始反應生成SiCl4，其化學反應為： Si + 2Cl2 = SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態從爐體上部轉冷凝器，冷卻為液態后，再流入儲料槽。該制備方法以當量配比的鎂粉與硅粉為原料，在真空中或氣體保護下，通過頂部連續給進原料，立式圓筒形反應器內連續攪動，使反應均勻充分，避免反應過熱和鎂蒸汽外逸。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。

因為硅烷的生成溫度低大部分金屬雜貨在這樣低的溫度下不易形成揮發性的氫化物而即便能生成也因其沸點較高難以隨硅烷揮發出來所以硅烷在生成過程中已經經過一次冷化有效地除去了那些不生成揮發性氫化物的雜質。三氯氫硅精餾是利用三氯氫硅與雜質氯化物的沸點不同而分離提純的。化工、材料、醫藥類的資料包括原材料的配方配比，制造工藝，質量標準和工藝流程等，機械、設備、裝置類的資料包括詳細的設計方案，設計原理，附帶有設計的結構原理圖紙和圖解說明，所有資料均包括技術發明人的姓名、聯系地址、權利要求等信息，是企業和個人了解市場，開發技術、生產產品的參考資料。因為硅烷的生成溫度低，大部分金屬雜貨在這樣低的溫度下不易形成揮發性的氫化物，而即便能生成，也因其沸點較高難以隨硅烷揮發出來，所以硅烷在生成過程中已經經過一次冷化，有效地除去了那些不生成揮發性氫化物的雜質。訂購電話： 在線訂購QQ: 手機或訂購：/ （周一周六18：00以后，周日及法定節假日全天） 更多資料 -重慶家教#高純硅的制備一般首先由硅石（SiO2）制得工業硅（粗硅），再制成高純的多晶硅，拉制成半導體材料硅單晶。

硅化鎂粉碎方法 3硅烷的熱分解 將硅烷氣體導入硅烷分解爐在800900℃的發熱硅芯上硅烷分解并沉積出高純多晶硅其反應式如下SiH4Si2H2↑ 硅烷熱分解法有如下優點 ①分解過程不加還原劑因而不存在還原劑的玷污。由于SiCl4被氫還原的速率較SiHCl3氫還原法低，因此目前使用SiCl4氫還原法制高純硅的較少 --您正在大智慧家教網()上瀏覽信息!。而四氯化硅或三氯氫硅氫氣還原法都會產生強腐蝕性的氯化氫氣體。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4 + 2MgCl2+4NH3 其中液氨不僅是介質，而且它還提供一個低溫的環境。技術-技術 制備方法 納米氫氧化鎂 輕質碳酸鈣 硅系阻燃劑 碳化硅晶須 生產方法 超導材料 二硼化鎂 制造方法#文章摘要: 一種超細輕質碳酸鈣的制備方法，硅系阻燃劑及其生產方法，一種二硼化鎂超導材料及其制備方法，高純納米氫氧化鎂的制備方法，高純度磷酸及其制造方法，制備碳化硅晶須的方法，…… (共1頁)。反應完畢后，連續產物經過刮刀與孔板的粉碎作用，得到粒度細小、組成均勻、當量匹配的硅化鎂粉末。

本方法對水鎂石進行表面改性來改善水鎂石表面的潤濕性，分散性和親水性，可增強水鎂石阻*填料與基體樹脂的相互作用，廣泛用于聚丙烯，聚乙烯，聚氯乙烯，高抗沖聚苯乙烯和ABS等領域。此外由于SiH4具有易提純的特點因此硅烷熱分解法是制備高純硅的很有發展潛力的方法。訂購本套資料光盤請記錄此編號：CC本套資料包括技術全文資料125份，全部包括在一張光盤內。 1. 硅烷熱解法 在高純硅的制備方法中，有發展前途的是硅烷熱分解法。 2.四氯化硅氫還原法 1工業粗硅氯化制備四氯化硅 目前SiCl4的工業制備方法一般是采用直接氯化法將工業粗硅在加熱條件下直接與氯反應制得SiCl4。硅化鎂粉碎方法如果你在此沒有找到你需要的技術資料，也請告訴我們，我們將根據你的需求為你量身訂制。

 生產中所用的氯化銨一定要干燥否則硅化鎂與水作用生成的產物不是硅烷而是氫氣其反應式如下 2Mg2Si8 NH4ClH2O4 MgCl2Si2H2O38 NH3↑6 H2↑ 由于硅烷在空氣中易燃濃度高時容易發生爆炸因此整個系統必須與氧隔絕嚴禁與外界空氣接觸。硅化鎂粉碎方法 （2） 精餾提純四氯化硅 四氯化硅中通常含有鐵、鋁、鈦、硼、磷等雜質，但這些雜質可以通過精餾的方法除去。所述的裝置主要采用立式圓筒形反應器代替水平式反應器，用頂部減速機帶動螺旋片攪拌器攪動原料；該反應器外壁上部采用加熱器加熱，下部采用冷水套冷卻，底部采用刮刀和孔板粉碎反應生成的硅化鎂，反應器上側與加料裝置相連，下部與收料裝置相連。本發明既可實現硅化鎂的連續生產，還可提高原料轉化率，減少過程中鎂的消耗，同時降低能耗。工業上常用不銹鋼或石英制的氯化爐將硅鐵裝入氯化爐從氯化爐底部通入氯氣加熱200300℃時開始反應生成SiCl4其化學反應為 Si2Cl2SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態從爐體上部轉冷凝器冷卻為液態后再流入儲料槽。 生產中所用的氯化銨一定要干燥，否則硅化鎂與水作用生成的產物不是硅烷，而是氫氣，其反應式如下： 2Mg2Si+8 NH4Cl+H2O=4 MgCl2+Si2H2O3+8 NH3 +6 H2 由于硅烷在空氣中易燃，濃度高時容易發生爆炸，因此，整個系統必須與氧隔絕，嚴禁與外界空氣接觸。